Untersuchungen diffusionsinduzierter Defekte in GaP und GaSb mittels Transmissionselektronenmikroskopie (German, Paperback)


Diplomarbeit aus dem Jahr 1998 im Fachbereich Physik - Technische Physik, Note: 1,0, Christian-Albrechts-Universitat Kiel (Unbekannt), Sprache: Deutsch, Abstract: Inhaltsangabe: Einleitung: Die Verbindungshalbleiter GaP und GaSb finden wegen ihrer elektronischen Eigenschaften insbesondere Anwendung in der Opto- und Mikroelektronik. Um zu einem besseren Verstandnis der zugrundeliegenden Mechanismen bei Zn-Diffusion in GaP und GaSb zu gelangen, haben wir Diffusionsexperimente durchgefuhrt. Die Diffusionsgluhungen wurden an versetzungsfreien, intrinsischen GaP(001)- und GaSb(001)-Wafern in Quarzglasampullen unter verschiedenen Diffusionsbedingungen durchgefuhrt. Die Konzentrationsprofile wurden mittels Sekundarionenmassenspektroskopie und Elektronenmikrostrahlsonde bestimmt. Die durch die Zn-Diffusion entstehende Defektstruktur wurde mittels analytischer Transmissionselektronenmikroskopie an Querschnittsproben charakterisiert und die Oberflachen der Wafer mittels Rasterelektronenmikroskopie untersucht. Bei der Eindiffusion von Zn aus der Dampfphase kommt es zur Bildung stufenformiger Konzentrationsprofile, welche durch eine hohe Zn-Oberflachenkonzentration und einen steilen Abfall des Zn-Gehalts an der Diffusionsfront gekennzeichnet sind. In n-dotierten Substraten konnen damit abrupte p-n-Ubergange durch Zn-Diffusion erzeugt werden. Die bei der Zn-Diffusion entstehenden Gitterbaufehler spielen hinsichtlich der industriellen Anwendung der Materialien insofern eine Rolle, als sie zu Storungen im periodischen Gitterpotential und lokalisierten Energieniveaus fuhren. Die Beweglichkeit der freien Ladungstrager wird damit sehr stark durch die strukturelle Fehlordnung beeinflusst, welches sich insbesondere auf die Funktiontuchtigkeit von p-n-Ubergangen in elektronischen Bauelementen auswirkt. In GaP-Leuchtdioden fuhrt die strukturelle Fehlordnung z.B. zu starker Reduzierung der Lumineszenz. Inhaltsverzeichnis: Inhaltsverzeichnis: 1.Einleitung3 2.Grundlagen der Diffusionstheori

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Diplomarbeit aus dem Jahr 1998 im Fachbereich Physik - Technische Physik, Note: 1,0, Christian-Albrechts-Universitat Kiel (Unbekannt), Sprache: Deutsch, Abstract: Inhaltsangabe: Einleitung: Die Verbindungshalbleiter GaP und GaSb finden wegen ihrer elektronischen Eigenschaften insbesondere Anwendung in der Opto- und Mikroelektronik. Um zu einem besseren Verstandnis der zugrundeliegenden Mechanismen bei Zn-Diffusion in GaP und GaSb zu gelangen, haben wir Diffusionsexperimente durchgefuhrt. Die Diffusionsgluhungen wurden an versetzungsfreien, intrinsischen GaP(001)- und GaSb(001)-Wafern in Quarzglasampullen unter verschiedenen Diffusionsbedingungen durchgefuhrt. Die Konzentrationsprofile wurden mittels Sekundarionenmassenspektroskopie und Elektronenmikrostrahlsonde bestimmt. Die durch die Zn-Diffusion entstehende Defektstruktur wurde mittels analytischer Transmissionselektronenmikroskopie an Querschnittsproben charakterisiert und die Oberflachen der Wafer mittels Rasterelektronenmikroskopie untersucht. Bei der Eindiffusion von Zn aus der Dampfphase kommt es zur Bildung stufenformiger Konzentrationsprofile, welche durch eine hohe Zn-Oberflachenkonzentration und einen steilen Abfall des Zn-Gehalts an der Diffusionsfront gekennzeichnet sind. In n-dotierten Substraten konnen damit abrupte p-n-Ubergange durch Zn-Diffusion erzeugt werden. Die bei der Zn-Diffusion entstehenden Gitterbaufehler spielen hinsichtlich der industriellen Anwendung der Materialien insofern eine Rolle, als sie zu Storungen im periodischen Gitterpotential und lokalisierten Energieniveaus fuhren. Die Beweglichkeit der freien Ladungstrager wird damit sehr stark durch die strukturelle Fehlordnung beeinflusst, welches sich insbesondere auf die Funktiontuchtigkeit von p-n-Ubergangen in elektronischen Bauelementen auswirkt. In GaP-Leuchtdioden fuhrt die strukturelle Fehlordnung z.B. zu starker Reduzierung der Lumineszenz. Inhaltsverzeichnis: Inhaltsverzeichnis: 1.Einleitung3 2.Grundlagen der Diffusionstheori

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Product Details

General

Imprint

Diplom.de

Country of origin

United States

Release date

November 1998

Availability

Expected to ship within 10 - 15 working days

Authors

Dimensions

210 x 148 x 7mm (L x W x T)

Format

Paperback - Trade

Pages

108

ISBN-13

978-3-8386-1184-6

Barcode

9783838611846

Languages

value

Categories

LSN

3-8386-1184-5



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